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EMC测验电波暗室的性能目标
- 2019-05-15-

EMC测验电波暗室的性能目标

1)归一化场所衰减(NSA)测验:

       电波暗室在墙面和天花板的铁氧体及角锥吸波资料装置完毕后,应该进行场所性能的测验。NSA是评价电波暗室性能的中心目标,它的结果直接决议了电波暗室是否可以用于进行30~1000MHz的辐射打扰测验。NSA测验有离散频率法和扫频法两种办法。扫频法使用一个带盯梢源、具有最大值坚持功能的频谱分析仪进行扫频测验,可大大节约测验时间。

2)80MHz~1GHz场均匀性(FU)测验使用电波暗室进行辐射抗扰度测验时,要确保受试设备周围发生均匀的场。因此,有必要进行测验面场均匀性的校准,合格后方可进行抗扰度测验。在进行场均匀性测验时,要求在发射天线与受试设备之间的地上上铺设吸波资料,避免地上反射影响场均匀性,这时半电波暗室就成了全电波暗室。

3)1~18GHz场所电压驻波比(SVSWR)测验在对电脑及其外围产品进行1GHz以上辐射打扰测验时,需求使用全电波暗室,这时需求在半电波暗室的接地平板上铺设吸波资料。一个全电波暗室若用于测验产品1GHz以上的辐射打扰,有必要经过场所电压驻波比(SVSWR)测验。

       SVSWR测验需求的测验方位是由测验静区的尺寸决议的。这些方位是一个有6个测验点的序列,这6个测验点坐落指向接纳天线参考点的连线上。

       F1~F6即前端方位1~6。前端方位在测验静区中心与接纳天线参考点的连线上。要确认这些方位,首先要确认F6,它坐落测验区域的最前端。F6在测验轴线上,该点与接纳天线参考点的间隔为测验间隔D。Fs~F1以F6为参考点,违背接纳天线方向进行放置:Fs=F6+违背接纳天线2cm;F4=F。+违背接纳天线10cm;F3=F6+违背接纳天线18cm;F2=F6+违背接纳天线30cm;F1=F6+违背接纳天线40cm。

       R1~R6、LI~L6、C1~C6分别是净区右侧方位、左边方位、中心方位的1~6个测验点,其方位的确认与前端方位相同。以上这些测验方位,一般仅在静区的中心高度。但在测验静区的顶部可能会进行SVSWR测验,该测验取决于测验区域的高度。